本周一，初创公司Crossbar从隐身状态中走出来，发布了它的RRAM(电阻随机存取存储器)版本，这是一种新型存储器，可能会成为闪存和DRAM的继承者。
该公司成立于2010年，将和许可其RRAM，非易失性存储器，这将是更小，更快，更省电的比NAND闪存和RAM，交叉的首席执行官George Minassian表示。
“这是高密度... ...和电流低得多，” Minassian补充说，该内存的物理和功耗特性使其成为合适的替代品，用于存储在智能手机，平板电脑，PC和服务器。
交叉声称RRAM将提供20倍更快的写入性能，降低20倍功耗，比NAND闪存10倍的耐用性等等。存储器芯片会被堆叠，并且1TB的模块将与类似的存储的NAND快闪模块的大约一半的尺寸，所述Minassian。
他无法估计1TB RRAM模块的价格，但表示它将比NAND闪存便宜，部分原因是RRAM的制造成本较低。
交叉开关也将授权技术给第三方。这可能是之前的内存显示了在产品两三年，但是这取决于对产品的需求，Minassian说。
“这是在什么时候什么公司出现的问题，” Minassian说。
从方式NAND闪存和RAM RRAM不同操作。不同于NAND闪存，交叉的技术不使用的晶体管或陷阱的费用。相反，它采用分层的方法来存储数据。一个RRAM单元具有三个层，其中在帮助确定该小区是否正存储1或0的顶层具有一金属电极，而下层具有非金属电极中间的开关。顶层通过金属离子进入交换介质和到下层，它创建了一个灯丝，以保持连接在电极上，什么Minassian称为“短线”。施加负电荷断丝和叶的电极之间的间隙，不留下电阻，改变存储器单元的状态。
“这不是你在标准NAND和NOR使用门，这是电阻性，这是在RRAM来自” Minassian说。
RRAM使用现有的材料，可以在工厂生产。Minassian说，原型机正在台积电(台积电)的工厂中制造。
交叉的RRAM不包含的晶体管，所以很容易使作为芯片变得更小，Minassian说。
交叉的技术是非常有趣和制造技术的改进和芯片变小可能是有用的，说在Objective Analysis的首席分析师Jim Handy，在一封电子邮件。
“这是普遍接受的东西是要取代NAND和DRAM有一天，因为这些技术已经缩放的问题。这何时会发生目前还不清楚，” Handy表示。
它正变得越来越复杂，使NAND和DRAM的制造技术以极快的速度提高，Handy表示。英特尔，它拥有世界上最先进的芯片工厂，将很快转移到14纳米工艺制造的芯片。具有更多功能的制造更小的芯片需要更注重细节和芯片可能会受到更广泛的类的缺陷。
考虑到这一点，再加上3D NAND作为当今平面NAND的继承者的出现，在替代内存技术有机会取代NAND闪存之前，可能还会有5代进程，甚至更多。对于DRAM来说，情况可能也是如此。
一旦规模限制确实已经达到了，像交叉的RRAM技术将迅速地从根深蒂固的球员夺走市场份额，Handy表示。
其他RRAM设计正在研究学术界和研究机构。的存储器，以NAND和DRAM替代形式还包括EverSpin的的MRAM（磁阻RAM）和PCM（相变存储器），存储器类型被追求的美光与三星半导体。惠普正在叫做忆阻器内存类型。
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