芯片厂商拼萎缩效率的提高

效率是一个日益受到关注,因为共同的技术来缩小电量变得不那么有效

最新一代的图形芯片有3个十亿个晶体管和消耗对能源200瓦。这些数字是令人印象深刻 - 直到你认为人的大脑有一万亿晶体管,功耗仅20瓦的能量,或者远远低于需要运行一个灯泡相当。

半导体制造商都羡慕这几天在看大脑,因为他们应对最新的挑战,以他们的行业 - 在不断减少的功率效率的提高。它长期以来一直是芯片设计人员关注的问题,但它呈现出新的紧迫性缩减电源使用的常用技术正在失去其有效性。

“这组已经工作了我们关于过去十年似乎散射周围的边缘因素,”一月Rabaey,在加州,工程伯克利学院的大学教授,谁在该议题主持的小组说,固态电路本周会议在旧金山。

这不是一个抽象的关注,无论是。在功率效率稳步提高一直是当今功能强大的计算机的关键因素,尤其是像iPhone,其中电池寿命是至关重要的移动设备。

最大的收获都来自“工艺的缩小”,或迁移到新的制造技术,允许更小和更小的晶体管。这是正规的前进这对实现摩尔定律最有名的,但它也让每半导体瓦性能与每个进程一代提高。

工艺尺寸历史给了能源效率的3倍提升,但今天的进步给只有1.4倍的改进,丹Dobberpuhl,在Digital Equipment公司,Broadcom和苹果前工程师的芯片说。

“低于30个纳米,我们必须引进新的材料和新结构”,以保持缩放晶体管的电压降,呵呵铉权,总裁三星电子,当天早些时候说。

工程师们一直在使用其他技巧来降低功耗,如控制泄漏,但回报也越来越小了。小组成员被要求对建议,实现在电源使用“未来降低10倍”。

新的晶体管设计是答案的一部分,杰克孙,CTO在合同制造巨头台积电表示。选项包括一个称为鳍式场效应晶体管的设计,这在每个晶体管使用多个栅极,并称为结晶体管另一种设计。

研究人员已经取得了“很大的进步”与鳍式场效应晶体管,台积电希望它可以用于下一代CMOS的 - 行业标准硅制造工艺,孙说。

他和其他小组成员也有被称为3D堆叠封装技术,在芯片上彼此的顶部,而不是并排分层信心。它可以缩短互连将它们结合在一起,减少电源损耗。

许多这些技术仍处于研究阶段,但是。如果他们不能与当前的CMOS制造设备兼容,他们将实施昂贵。

还有另外一种方式来这个问题。今天的芯片是相当不灵活,在某种意义上说,他们并没有太多的适应环境,菲利普Magarshack,为意法半导体公司的研发副总裁。他提出了一种方法,他称之为“感觉和反应。”

放置智能电话芯片上的要求可以变化很大。芯片应该能够斜坡它们的电压,时钟速度等性能上下取决于手机是否正在通话或显示一个视频,还是它的靠近基站或远的地方,他说。

它做的程度与今天的时钟门控和电压调节,但它可以更做,如果每个组件 - 天线,接收器等 - 被设计了演唱会,Magarshack说。

“圣杯是在需要时,系统只消费动力和能量。这绝对是不可能的,我们今天所拥有的工具。我们需要新一代的工具和方法,”他说。

他和Sun还提出了所谓的宽I / O架构,这将允许多个组件共享输入/输出设备。DRAM芯片可以被堆叠在一个基带处理器,例如,也平行,而不是串行I / O操作,Magarshack说。

Dobberpuhl,前DEC工程师说最大的收获可以从改进算法和架构,包括更加高效的并行设计制造。

赫尔曼EUL,英特尔移动通信的总裁表示,该键移动通过模拟处理器处理成数字功能。数字电路更容易收缩,他说,他们可以被重新编程 - 因此单个收发器可用于在3G手机全部五个频段,例如,代替目​​前使用的五个单独的芯片。

“最有效的功率晶体管是不存在的晶体管,” EUL说。

一般来说,小组成员似乎乐观,如果仅仅是因为工程的持久性已通过在过去的许多壁垒打破。

“一般情况下,工程师们从未放弃,” EUL说。

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