下一代存储中断:持续的记忆

SCM是一种新的混合存储/存储器层即稍慢比DRAM而是像持久传统存储

Henrik5000 /盖蒂图片社

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存储级内存(SCM),也被称为持久性记忆,可能是未来十年最具破坏性的存储技术创新。它甚至可以说比闪存更具破坏性的,无论是从性能的角度来看,用它将改变存储和应用程序架构的方式的可能性。

SCM是一种新的混合存储/存储器层具有独特的特性。这是不完全的内存,并且它不完全存储。在物理上,它连接到内存插槽的主板,像传统的DRAM。虽然SCM略慢于DRAM,它是永久性的,这意味着,像传统的存储,其内容包括功率循环过程中保留。

相较于闪存,SCM是快几个数量级,而且同样重要的是,在两个读写操作也同样提供这些性能提升。它拥有超过闪光另一个好处,以及 - SCM层是显著更具弹性,从磨损没有苦难的那一刹那属于受害者。

SCM与当前的行业解决方案

有趣的是,SCM可以在任一字节或块级别来解决。这给操作系统,软件和系统管理程序开发商显著灵活性关于该介质的应用。例如,它是可以想象的操作系统将最初治疗SCM通过文件系统和数据库为了兼容格式的块存储设备。然而,下一代应用程序可以选择接入单片机直接通过内存映射文件。管理程序可以抽象和本隔离SCM区域直接向不同的VM作为要么执行存储器或闪存形存储资源。

考虑一下今天的DRAM的使用方式。几十年来,应用已经暂时存储在DRAM的数据 - 即,易失性存储器。在特定的执行点的数据结构进行了重新格式化,并放入512字节的块。然后,他们被写入(连同元数据)以结构为无论是文件系统或数据库持久性的磁盘。内置到元数据是那保护,以防止故障和损坏信息显著量。

现在对比的是,以SCM将被如何使用。由于SCM是持久性的,内容它存储保留在内存中,不只是在计划重新启动的情况下,而且在计划外的崩溃和宕机。该介质也字节寻址,无需包数据转换成相干512字节的块。保持的存储器结构的“活”与字节级粒度,同时消除中间复制的必要性的组合,将改变应用程序设计。

SCM在实践中

这将是单片机技术迟到过2016年提供给组织 - 这将发生与英特尔初步实现其3D XPOINT技术。HP和SanDisk也宣布了SCM合作,但它很可能会在2017年或以后变得可用。正如任何新的新兴技术,及早实施SCM可能只适用于特定的行业和应用。最初的价格和性能可以达到更广泛的观众面前只有迎合某些使用情况。

当它达到了主流,操作系统,软件和系统管理程序的开发人员可能会选择在SCM首先融入传统架构,而不是重新编写应用程序来提供新的技术的所有优势。这将,但是,仍然提供了一种技术,既显著更快,比闪存更有弹性,以及致密,比DRAM内存技术更便宜。内存计算,HPC和服务器端缓存可能是一些SCM的应用侧尝鲜,哪有助于使这项新技术广泛地推向市场。

戴维斯在Infinio推动产品和技术战略。此前他在VMware的,在那里他是CTO为VMware的终端用户计算业务部工作了七年。

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