惠普（Hewlett-Packard）和桑德斯克（Sandisk）今天宣布了一项共同开发“存储课程记忆”（SCM）的协议，该协议可以取代DRAM，并且比NAND Flash快1000倍。
这两家公司将根据惠普的备忘录（一种革命性的电阻器）销售其SCM产品，以用于企业云基础架构一直在发展至少五年，以及Sandisk的RERAM内存技术。
两家公司表示，预计由此产生的非易失性记忆技术的速度将快1,000倍，而耐力的耐力最多要比闪存存储高达1000倍。
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艺术家对RRRAM记忆的演绎。微小的导电细丝纵横交错，并连接硅层以表示一些数据。
Sandisk记忆技术执行副总裁Siva Sivaram表示，预计它将对DRAM技术提供大量的成本，功率，密度和持久性改善。
SCM投资组合最终将作为企业SAS，SATA和PCIE连接产品运送，可用于替换DRAM，并将Nand Nand Flash作为更高的层次内存。
SCM技术将像DRAM这样的字节添加，其特性旨在允许系统在每个服务器节点上使用数十个SCM CACHE的T骨用于应用程序，例如内存数据库，实时数据分析以及交易和高级数据库，以及性能计算。
西瓦拉姆说：“这是一个大型市场。”
Memristor和Reram的悠久历史
RERAM基于Memristor电路，使用了一种被动的两端电极，该电极使用改变电阻而不是电子的离子来存储数据。
根据研究人员的说法从JülichAachenResearch Alliance（JARA）来看，电阻记忆可以减少现代IT系统的能源消耗，同时提高性能。
“在电阻开关存储单元（RERAMS）中，离子以与电池相似的方式行为纳米尺度。这些电池具有两个电极，例如由银和铂制成，离子在该电极上溶解然后再次沉淀。贾拉在RERAM上的一篇论文中说：“改变可以利用数据存储的电阻。”
电阻随机记忆（RERAM或RRAM）基于“内存电阻”概念，也称为Memristor。Memristor一词是由加利福尼亚大学伯克利分校的科学家Leon Chua在1970年代初创造的。
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电阻式RAM电路的显微镜侧视照片，其中微小的导电细丝纵横交错，并连接硅层以表示一些数据。
在Memristor之前，研究人员只知道三个基本电路元件 - 电阻器，电容器和电感器。Memristor添加了第四个，但它仍然是一种理论，而不是数十年来的现实。
2008年，惠普实验室的研究人员声称已证明是备忘录基于对二氧化钛薄膜的分析而存在。
在2010年，惠普签订了为期三年的联合发展协议与Memristor Development有关的Hynix半导体。
惠普和Hynix表示，他们将共同开发材料和过程集成技术，以将Memristor技术带入RERAM的商业开发。Hynix负责制造Memristor技术。五年后，没有产品。
Sivaram谈到他公司的RERAM技术时说：“该计划在Sandisk中积极开发了七或八年。”“惠普认识我们的专业知识。”
Sivaram不能说产品何时发货。两家公司将需要开发专有的操作系统，固件和应用程序软件以及新的非易失性内存。
尽管该协议被描述为“长期”，但这些公司并未为开发合作伙伴关系指定确切的时间板。
HP和Sandisk并不孤单
抵抗性记忆已经接近生产在过去的几年中，这意味着HP和Sandisk并不孤单地寻求寻找更便宜，更耐用的非易失性替代品的DRAM。
硅谷初创横梁期望它的3D静止公羊（3D RRAM）将于2016年以可穿戴设备的存储器发行的产品，其高密度存储设备之类的固态驱动器之后的18个月内到达。
英特尔和微米今年早些时候宣布他们正在合作开发3D XPoint，无晶体管的交叉点体系结构，该体系结构创建了微型电线的三维棋盘，其中存储单元位于单词线和位线的交集。
两家公司声称，3D Xpoint内存的潜力将使NAND Flash的耐力1000倍，而大约100万个擦除循环的耐力。
英特尔表示，它预计明年3D Xpoint产品将在PCIE SSD和DIMM形态下发货。
英特尔，微米
3D Xpoint架构的前提是，它消除了对位存储晶体管的需求，而是使用使用电阻的电线的格子来表示1或0。
HP和Sandisk正在努力的SCM技术集中在解决社交媒体，安全性，移动性，大数据分析，云和物联网所产生的大量数据流。
该合作伙伴关系旨在通过新的内存技术来增强其现有的基于闪存的SSD产品线，从而为企业数据中心提供高性能的存储解决方案。2020欧洲杯预赛
微米
3D XPoint Dies。
它还旨在为惠普的机器，一种新的存储架构，使用内存和存储将处理更接近数据，嵌入了整个硬件和软件堆栈中的安全控制点，并启用系统的管理和保证。
“在可预见的未来，企业面临的数据的冲击将继续是一个挑战。我们很高兴能与Sandisk合作，因为他们对这一挑战的重要性有所了解，更重要的是，该解决方案在记忆中存在于记忆中的愿景- 驱动计算，”惠普首席技术官马丁·芬克（Martin Fink）在一份声明中说。“我们将一起为市场带来新的内存解决方案，并加速企业的采用，同时推进HP的机器开发，从而长期启用新的计算模型。”
这个故事是“ HP，Sandisk合作伙伴将存储级记忆推向市场”最初由计算机世界 。