SK Hynix表示，它已开发出世界上第一个128GB的DDR4内存模块，两倍于公司当前的64GB模块的容量。
SK Hynix.今天宣布了它已开发出世界上第一个128GB的DDR4内存模块，两倍于公司目前的64GB模块的容量。
新的内存模块，也被吹捧为世界上最高密度模块，基于使用20nm工艺光刻创建的8Gbit DDR4芯片。
Hynix的128GB DDR4模块。
新的内存模块以2,133Mbps运行，64位I / O，每秒最多可达17GB的数据。它还以1.2V的超低电压运行，而现有DDR3内存模块的1.35V。
虽然Hynix，三星和至关重要的主要内存制造商已经开始生产下一代DDR4内存，但它是预计不会出现在服务器到今年晚些时候，并在PCS到2015年。
直到英特尔先进的微型设备在其处理器板上开始支持DDR4，用户将无法享受该技术的好处，这提供了两倍的性能，两倍的基础容量和功耗低于当今技术的功耗少20％至40％少于当今技术的功耗低20％至40％。行业分析师。
英特尔是期待将DDR4内存的支持添加到第三季度的高端计算机。
Hynix表示计划很快开始将128GB和64GB DDR4模块发货到计算机制造商。
Hynix的128GB内存，预计明年初将进入大规模生产，是现有64GB模块的密度的两倍，并使用TSV（通过硅通孔）技术。TSV是一种用于通过硅管芯垂直连接电气连接的方法，用于产生三维堆叠的集成电路。
根据市场研究公司Gartner，服务器DRAM市场将在移动环境扩大后，年度平均增长37％，截至2018年。新的接口DDR4预计将于今年的客户认证，预计将在2015年定期商业化。DDR4还预计2016年的行业主要标准。
“世界上第一个128GB的DDR4模块的发展在开设超高密度服务器市场方面具有重要意义，”海力士赛道发达的DRAM开发负责人Sung Joo Hong在一份声明中表示。“该公司将在高密度，超高速度和低功耗产品的开发中进一步加强其优质DRAM领域的竞争力。”
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