微米升压NAND闪存耐久性六倍

闪存制造商表示SLC NAND Flash可以执行300,000个写入周期

闪存制造机Micron今天表示,它已经能够提升其多级单元和单级单元格NAND闪存芯片的写入耐久性多达六次。

Micron Corp.今天介绍了它声称是行业最高耐力,最高容量的多级单元(MLC)和单级单元(SLC)NAND闪存。

用于构建固态驱动产品的技术旨在旨在提高I / O饥饿的应用程序性能的企业级公司,同时保持他们使用硬盘驱动器的寿命。

为实现更高的事务数据库和其他I / O密集型应用程序的性能,企业通常短程中冲程,这限制了读/写入驱动盘的外边缘上的曲目的曲目数。该技术提高了性能,而是又转动,它将驱动器容量减少多达90%,大大提高了硬件成本。

固态驱动技术可提供更高的性能和容量在串行连接的SCSI或光纤通道驱动器,但到目前为止它主要限于更持久,更高的执行SLC闪光灯,比MLC昂贵。

微米表示,通过使用其34纳米的光刻技术来增加密度,它也能够增加写性能 - 或者可以在闪存的寿命上维持的写入/擦除周期的数量 - 六倍MLC产品和SLC闪存上的三倍。

六倍性能增加转化为30,000个在微米的新MLC企业NAND上的写入周期 - 以及SLC NAND闪光灯的300,000个写入周期。通常,MLC NAND可以维持平均为5,000个写入/擦除周期,最大为10,000个写入/擦除周期。SLC闪光灯本身可以维持多达100,000个写入周期。

Micron的32Gbit MLC和16Gbit SLC企业闪存芯片技术可以配置为多模,单个包,使得MLC和16GB的密度为32GB,对于SLC。

“这不是一个固态磁盘(SSD)驱动通知,”微米发言人说。“现在我们正在使用设备制造商和SSD制造商来设计各地的产品。您还可以直接在计算机的主板上放置这些芯片。”

Micron期望在2010年初开始在新的32bit NAND Flash技术的批量生产。

“使用先进的NAND闪存是在企业应用中实现广泛的SSD采用,”SSD控制器制造商Sandforce Inc.的业务开发副总裁Steffen Hellmold说:“我们非常兴奋地使用微米,使成本效益,可靠,高性能SSD解决方案,支持严格的企业生命周期要求。“

这个故事,“Micron Boosts Nand Flash耐力六折”最初发表于Computerworld.

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