美国国防部高级研究计划局(DARPA)本周表示，他们最近展示了一种运行频率为94 GHz的全硅微芯片大小的系统，旨在为通信、雷达或制导系统等各种应用带来更轻、更强大和更便宜的系统。
美国国防部高级研究计划局(DARPA)声称，这种芯片是第一次只用硅封装的芯片实现了如此高的频率，在毫米波范围内。
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“通常需要多个电路板，独立的金属屏蔽组件和大量的I/O电缆，我们现在可以将其小型化到一个硅芯片上，大约是成人拇指指甲的一半大小，”他说戴夫帕默DARPA项目经理在一份声明中说。“这一成就为联合设计数字CMOS(互补金属氧化物半导体)和毫米波能力打开了大门，将其作为全硅芯片上的集成系统，这也将为未来军事(无线)系统提供新的设计架构。”
该芯片发射器上的全硅系统由诺斯罗普·格鲁曼航空系统公司制造，使用数字辅助功率放大器，使放大器的性能特性适应不断变化的信号需求。根据DARPA的说法，这种能力可以同时优化效率和线性度，这是所有发射器和功率放大器的关键目标，旨在快速传输大量数据。
Palmer指出，该封装可以支持一系列调制格式，因此可以使用单个硅片的不同波形与多个系统进行通信。
DARPA表示，许多现有的紧凑、高数据率毫米波无线通信系统使用的集成电路是由砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)制成的。
“这些电路在小封装中提供高功率和效率，但生产成本高，很难与提供大多数其他无线电功能的硅电子集成。与镓化合物相比，硅集成电路的批量生产成本更低，但到目前为止，在用于通信和许多其他军事应用的毫米波频率下，硅集成电路尚未显示出足够的功率输出和效率，”DARPA表示。
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