普渡大学的研究人员已经取得进展难以实现的目标：建设一个晶体管，其既可以处理和存储信息。在将来，一个单芯片上部件可以与铁电RAM的存储功能集成晶体管的处理的功能，潜在地创建进程存储器组合，使更快的计算，是刚刚原子厚。
补习班更多的功能到芯片上，允许更大的速度和功率不增加占地面积的能力，是电子设计一个核心目标。为了取得今天的他们，在普渡大学的工程师必须克服晶体管之间的不兼容问题 - 在几乎所有的电子产品中使用的开关和放大机制 - 和铁电RAM。铁电RAM是性能更高的存储器技术;材料引入了非挥发性的，这意味着它保留信息断电时，不像传统的介电层构造的DRAM。
在过去，材料冲突阻碍了整合了晶体管和存储商业电子产品的设计。“研究人员一直在试图几十年来整合这两个，但问题发生在铁电材料和硅，这使得晶体管的半导体材料之间的界面。相反，铁电RAM片上一个单独的单元操作，限制了它的潜力，使计算更加高效，”普渡大学的解释却是声明。
普渡大学的工程师团队，由培德叶的带领下，想出了一个解决方案：“我们使用具有铁电特性的半导体。这样，两种材料成为一种材料，你不必对接口问题的担心，”叶，谁是在大学电气和计算机工程教授说。
普渡工程师的周围材料的方法绕转称为α铟硒化物。它具有铁电性能，但它克服了常规铁电材料，其通常充当绝缘体，并且不允许电通过的限制。阿尔法铟硒化物材料可以成为半导体，这是必要的晶体管元件，以及一个房间温度稳定的，低电压要求的铁电元件，其被需要的铁电RAM。
阿尔法铟硒化物具有比其它材料更小的带隙，大学解释。带隙可以在那里不存在电子。该缩小的带隙，在该材料中发现本身意味着材料是不是一个严重的绝缘体和不太厚为电电流通过 - 但仍然是有铁电体层。较小的带隙“[使得]有可能使材料是不会失去铁电特性的半导体，”根据普渡。
“结果是所谓的强电介质的半导体场效应晶体管，在建的相同的方式，当前在计算机芯片中使用的晶体管。”
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