IBM和三星电子设计了技术巨头呼吁非传统设计的半导体，这些半导体承诺将能耗降低85％的现有芯片。
公司还可以实现包括节能密码和数据加密的新应用，而且还可以在未充电的情况下持续一周而不是天数的手机电池。
新的半导体也可以找到新的事情互联网（物联网）这些公司规定，利用能量较少的能量，让它们在更多样化的环境中运行，这些环境在浮标，自动车辆和宇宙飞船等更多样化的环境中。
关于芯片设计的新功能是其垂直 - 坦布电场效应晶体管（VTFET）垂直于芯片表面构建，垂直（上下）电流。通过传统的芯片技术，晶体管在半导体表面上平坦，电流横向（侧向侧），根据a博客由Brent Anderson，VTFET Architect and Program Manager，VTFET五金技术专家和主要研究人员。
“VTFET过程解决了对芯片设计人员尝试将更多晶体管包装成固定空间的款式的性能和限制的许多障碍。研究人员陈述了它还影响晶体管的接触点，允许更大的电流流动，“研究人员说明。
研究人员说明，VTFET通过在晶体管栅极长度，垫片厚度和接触尺寸上放松物理限制来解决缩放障碍，以便这些特征可以优化，用于进行性能或能源消耗。
“摩尔定律，在密集地填充的IC芯片中的晶体管数量的原则每两年大约两年，很快就会接近被认为是不可逾越的障碍，”研究人员表示。“随着越来越多的晶体管挤压为有限区域，工程师空间不足，但VTFET创新侧重于整个新维度，这为摩尔定律的延续提供了一种途径。”
英特尔本周说，它也在看垂直芯片堆叠作为继续发展的方式与摩尔定律一起成长的半导体。